Джон Бардин (1908), американский физик, изобретатель транзистора, дважды Нобелевский лауреат

БАРДИН Джон (1908-91), американский физик, член Национальной АН (1954), иностранный член АН СССР (1982). В 1968-69 был президентом Американского физического общества. Окончил Висконсинский и Принстонский университеты. Основные работы в области физики твердого тела. Создал первый транзистор (1948, совместно с У. Браттейном). Совместно с Дж. Пирсоном (1950) исследовал образцы кремния с различным содержанием фосфора и серы и рассмотрел механизм рассеяния на донорах и акцепторах. Совместно с У. Шокли ввел термин "деформационный потенциал". Предсказал притяжение между электронами за счет обмена виртуальными ионами (1950). Один из авторов (1957) микроскопической теории сверхпроводимости (теория Бардина-Купера-Шриффера). Предложил метод эффективного гамильтониана (модель туннелирования Бардина) в теории туннелирования. Бардин единственный ученый, дважды удостоенный Нобелевской премии по физике (1956, совместно с У. Браттейном и У. Шокли; 1972, совместно с Л. Купером и Дж. Шриффером). Золотая медаль им. М. В. Ломоносова АН СССР (1988). Медаль им. Ф. Лондона (1962). Национальная медаль за науку (1965).